Politi, A., Matthews, JCF & O’Brien, algoritma pemfaktoran kuantum JL Shor pada chip fotonik. Sains 325, 1221 (2009).
Zhong, H.-S. dkk. Keuntungan komputasi kuantum menggunakan foton. Sains 370, 1460–1463 (2020).
Waks, E. dkk. Kriptografi kuantum dengan pintu putar foton. Alam 420, 762 (2002).
Lai, S.-K. dkk. Jaringan kuantum antarbenua yang ditularkan melalui satelit. Fis. Mengaum. Biarkan. 120, 030501 (2018).
Brida, G., Genovese, M. & Ruo Berchera, I. Realisasi eksperimental pencitraan kuantum sub-shot-noise. Nat. Foton. 4, 227–230 (2010).
Zargami, M. dkk. Sensor CMOS optik kuantum TDC 32 × 32 piksel per SPAD TDC, faktor pengisian 19,48% pada pitch 44,64 μm mencapai kecepatan observasi 1 MHz. IEEE J. Sirkuit Solid-State 55, 2819–2830 (2020).
Bruschini, C., Homulle, H., Antolovic, IM, Burri, S. & Charbon, E. Pencitra dioda longsoran foton tunggal dalam biofotonik: gambaran umum dan pandangan. Ilmu Pengetahuan Ringan. Aplikasi. 8, 87 (2019).
Pawlikowska, AM, Halimi, A., Lamb, RA & Buller, GS Pencitraan tiga dimensi foton tunggal pada jarak hingga 10 kilometer. Memilih. Ekspres 25, 11919–11931 (2017).
Kuzmenko, K. dkk. Pencitraan LIDAR 3D menggunakan detektor dioda longsoran foton tunggal Ge-on-Si. Memilih. Ekspres 28, 1330–1344 (2020).
Entwistle, M. dkk. Sistem kamera APD dalam mode Geiger untuk pencitraan LADAR 3D foton tunggal. Dalam Proc. SPIE St. 8375, Teknik Penghitungan Foton Tingkat Lanjut VI, 83750D (SPIE, 2012).
Morimoto, K. dkk. Sensor gambar SPAD dengan gerbang waktu megapiksel untuk aplikasi pencitraan 2D dan 3D. Optik 7, 346–354 (2020).
Hadfield, RH Detektor foton tunggal untuk aplikasi optik informasi kuantum. Nat. Foton. 3, 696-705 (2009).
Marsili, F.dkk. Deteksi foton inframerah individu dengan efisiensi sistem 93%. Nat. Foton. 7, 210–214 (2013).
Najafi, F.dkk. Deteksi cahaya non-klasik dalam chip menggunakan integrasi detektor foton tunggal yang dapat diskalakan. Nat. Komunitas. 6, 5873 (2015).
Campbell, JC, Sun, W., Lu, Z., Itzler, MA & Jiang, X. Pembatalan mode umum dalam dioda longsoran foton tunggal InGaAs/InP seimbang dengan gerbang sinus. IEEE J. Elektron Kuantum. 47, 1505–1511 (2012).
Signorelli, F. dkk. Dioda longsoran foton tunggal dengan noise rendah InGaAs/InP untuk aplikasi berbasis serat dan ruang bebas. IEEE J.Sel. Atas. Sebuah elektron kuantum. 28, 3801310 (2022).
Xu, H., Pancheri, L., Dalla Betta, G.-F. & Stoppa, D. Desain dan karakterisasi array SPAD p+/n-well dalam proses CMOS 150nm. Memilih. Ekspres 25, 12765–12778 (2017).
Lee, M.-J. dkk. Dioda longsoran foton tunggal berlapis tiga dimensi dengan lampu latar berkinerja tinggi yang diimplementasikan dalam teknologi CMOS 45nm. IEEE J.Sel. Atas. Bergalah. Elektron. 24, 3801809 (2018).
Sliney, DH & Freasier, BC Menilai risiko radiasi optik. Aplikasi. Memilih. 12, 1-24 (1973).
Kumpulan data spektral matahari terestrial Bird, RE, Hulstrom, RL & Lewis, LJ. Sol. Energi 30, 563–574 (1983).
Arnulf, A., Bricardi, J., Cura, E. & Varet, C. Transmisi kekeruhan dan kabut di wilayah spektral 0,35 hingga 10 mikron. J.Pilihan. sosial. Pagi. 47, 491-498 (1957).
Loudon, AY dkk. Meningkatkan Efisiensi Deteksi Inframerah Fotodioda Longsor untuk Penghitungan Foton Silikon Menggunakan Lapisan Penyerap Silikon Germanium. Memilih. Biarkan. 27, 219-221 (2002).
Tosi, A., Dalla Mora, A., Zappa, F. & Cova, S. Germanium dan InGaAs/InP SPAD untuk deteksi foton tunggal inframerah dekat. Dalam Proc. SPIE St. 6771, Teknik Penghitungan Foton Tingkat Lanjut II, 67710P (SPIE, 2007).
Lu, Z. dkk. Pengoperasian fotodioda longsoran Ge-on-Si dalam mode Geiger. IEEE J. Elektron Kuantum. 47, 731–735 (2011).
Warburton, RE dkk. Detektor dioda longsoran foton tunggal Ge-on-Si: desain, pemodelan, fabrikasi, dan karakterisasi pada panjang gelombang 1310 dan 1550 nm. IEEE Trans. Perangkat Elektron 60, 3807–3813 (2013).
Martinez, NJD dkk. Deteksi foton tunggal dalam pandu gelombang yang digabungkan dengan fotodioda longsoran lateral Ge-on-Si. Memilih. Ekspres 25, 161310–16139 (2017).
Tanaman merambat, P. dkk. Detektor dioda longsoran foton tunggal germanium-on-silikon planar berkinerja tinggi. Nat. Komunitas. 10, 1086 (2019).
Ferre Llin, L. dkk. Detektor dioda longsoran foton tunggal Ge-on-Si yang sangat sensitif. Memilih. Biarkan. 45, 6406–6409 (2020).
Ke, S.dkk. Desain struktur ikatan wafer untuk operasi germanium mode Geiger suhu mendekati ruangan pada fotodioda longsoran foton tunggal silikon. Aplikasi. Memilih. 56, 4646–4653 (2017).
Soref, RA, De Leonardis, F. & Passaro, VMN Simulasi detektor longsoran foton tunggal pandu gelombang bersuhu ruangan skala nano untuk penginderaan fotonik silikon dan aplikasi kuantum. Aplikasi ACS. Nano Materi. 2, 7503–7512 (2019).
Thorburn, F.dkk. Detektor dioda longsoran foton tunggal Ge-on-Si untuk panjang gelombang inframerah gelombang pendek. J.Fisika. Fotonik 4, 012001 (2022).
Samavedam, SB, Currie, MT, Langdo, TA & Fitzgerald, EA Fotodioda germanium kinerja tinggi terintegrasi pada substrat silikon menggunakan buffer bertahap yang dioptimalkan. Aplikasi. Fis. Biarkan. 73, 2125-2127 (1998).
Luan, H.-C. dkk. Epilayer Ge berkualitas tinggi pada Si dengan kepadatan dislokasi ulir yang rendah. Aplikasi. Fis. Biarkan. 75, 2909-2911 (1999).
Osmond, J.dkk. Fotodioda Ge/Si(100) arus ultra-rendah dengan anggaran termal rendah. Aplikasi. Fis. Biarkan. 94, 201106 (2009).
Åberg, I. dkk. Teknologi imager CMOS germanium-on-silikon monolitik dengan arus gelap rendah dan efisiensi kuantum tinggi untuk aplikasi pencitraan siang dan malam. Dalam Proc. Pertemuan Perangkat Elektron Internasional (IEDM) 2010 14.4.1–14.4.4 (IEEE, 2010).
Lee, K.-H. dkk. Pengurangan cacat film epitaksi Ge pada wafer germanium pada isolator dengan anil dalam lingkungan oksigen. Materi APL. 3, 016102 (2015).
Morse, M., Dosunmu, O., Sarid, G. & Chetrit, Y. Kinerja fotodetektor pin Ge-on-Si untuk modul penerima standar. Foton IEEE. Teknologi. Biarkan. 18, 2442–2444 (2006).
Takenaka, M., Morii, K., Sugiyama, M., Nakano, Y. & Takagi, S. Pengurangan arus gelap fotodetektor Ge dengan pasivasi permukaan GeO2 dan doping fase gas. Memilih. Ekspres 20, 8718–8725 (2012).
Sammak, A., Aminian, M., Nanver, LK & Charbon, E. Array piksel PureGaB Ge-on-Si APD yang kompatibel dengan CMOS. IEEE Trans. Perangkat Elektron 63, 92–99 (2016).
Kang, Y. dkk. Fotodioda longsoran germanium/silikon monolitik dengan penguatan dan bandwidth 340 GHz. Nat. Foton. 3, 59–63 (2008).
Duan, N., Liow, T.-Y., Lim, AE-J., Ding, L. & Lo, Fotodetektor longsoran Produk Ge/Si GQ dengan penguatan bandwidth 310 GHz untuk deteksi cahaya 1550 nm. Memilih. Ekspres 20, 11031–11036 (2012).
Huang, M. dkk. Germanium pada Fotodioda Longsor Silikon. IEEE J.Sel. Atas. Sebuah elektron kuantum. 24, 3800911 (2018).
Assefa, S., Xia, F. & Vlasov, YA Menemukan kembali fotodetektor longsoran germanium untuk interkoneksi optik nanofotonik on-chip. Alam 464, 80–84 (2010).
Virot, L. dkk. Penerima longsoran Germanium untuk interkoneksi energi rendah. Nat. Komunitas. 5, 4957 (2014).
Chen, HT dkk. Penerima fotonik Si 10 Gb/s yang sangat sensitif berdasarkan pandu gelombang tegangan rendah yang dipadukan dengan fotodetektor longsoran Ge. Memilih. Ekspres 23, 815–822 (2015).
Su, YK, Chang, CY & Wu, TS Karakteristik PIN avalanche photodiode (APD) yang bergantung pada suhu di Ge, Si dan GaAs. Memilih. Sebuah elektron kuantum. 11, 109-117 (1979).
Hofbauer, M., Steind, B. & Zimmermann, H. Ketergantungan suhu frekuensi pulsa gelap dan pulsa setelah dioda longsoran foton tunggal dengan sirkuit pemadam aktif terintegrasi dalam CMOS 0,35 μm. J.Sens. 2018, 9585931 (2018).
Mahmoudi, H., Hofbauer, M., Goll, B. & Zimmermann, H. Karakterisasi Kebisingan dan Terobosan Detektor SPAD Penghitungan Foton Berpagar Waktu. Sensor 21, 5287 (2021).
Ziarkash, AW, Joshi, SK, Stipčević, M. & Ursin, R. Studi perbandingan perilaku dan model afterpulsing dalam detektor fotodioda longsoran untuk penghitungan foton tunggal. Sains. Reputasi. 8, 5076 (2018).
Na, N. dkk. Piksel pengunci germanium-on-silikon berkinerja tinggi untuk aplikasi waktu penerbangan tidak langsung. Dalam Proc. Pertemuan Perangkat Elektron Internasional (IEDM) 2018 32.4.1–32.4.4 (2018).
+ There are no comments
Add yours